返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5560 个

  • 12n09,12N09场效应管参数,​​电机mos管,KCT012N09N-KIA MOS管

    KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V,漏极电流305A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;开关速度快、符合JEDEC标准,产品性能稳定可靠,在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6095.html         2025-12-11

  • spwm逆变电路工作原理详解-KIA MOS管

    开关控制:同一桥臂的上下管互补导通,避免直通短路(需加入死区时间)。在正弦波正半周,一对角开关交替导通;负半周切换至另一对角,实现交流极性反转。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6094.html         2025-12-11

  • pwm逆变电路,pwm逆变器工作原理详解-KIA MOS管

    PWM逆变电路的原理是通过控制功率开关器件(如MOSFET或IGBT)的通断时序,生成宽度可变的等幅脉冲序列,从而将直流电(DC)高效地转换为可调电压和频率的交流电(AC)。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6093.html         2025-12-11

  • 50N08场效应管参数,电机驱动mos,​85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管

    KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,广泛应用于电机控制和...

    0 次查看 电机驱动mos

    www.kiaic.com/article/detail/6092.html         2025-12-10

  • 逆变器后级电路原理,逆变器后级电路-KIA MOS管

    逆变器后级电路的作用是将高压直流电转换为稳定的交流电,结构采用全桥(H桥)拓扑。逆变器后级电路通过SPWM控制全桥开关管,将高压直流电逆变为交流电,并依赖LC滤波器净化输出。设计时需重点关注死区时间设置、米勒电容抑制和驱动电路稳定性,以确保高效可靠...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6091.html         2025-12-10

  • 逆变器前级电路,后级电路分析-KIA MOS管

    在实际应用中,逆变器前级有时会省略L1,尽管电路结构上仍呈现闭环稳压特性,且电压通过R1进行反馈。这是因为在闭环稳压的计算中,为了确保输出稳压,变压器的变比设计得相对较大。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6090.html         2025-12-10

  • 电机控制,12N10mos,​12N10场效应管,KCT012N10N参数-KIA MOS管

    KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流330A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),最大限度地减少导电损耗,提高效率;100% DVDS测试、100% 雪崩测试、?符合JEDEC标准,稳定可靠,在电机控制和驱动...

    0 次查看 电机控制

    www.kiaic.com/article/detail/6089.html         2025-12-09

  • 二倍压整流电路图,二倍压电路详解-KIA MOS管

    1.在U1负半周时,UAB=-U2,二极管D26导通,D25截止,给电容C82充电,充电完成后,UC82=UCA=U2;2.U1从负半周变为正半周时,二极管D25导通,D26截止,此时C82和电源电压均向电容C85充电(电能从C82转移到C85),即UC85=UDB=2*U2;

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6088.html         2025-12-09

  • 倍压整流电路工作原理,倍压整流电路图-KIA MOS管

    倍压整流电路是利用二极管单向导通的特性和电容两端电压不能突变且可以存储能量的特性,使得能量逐步往后级输送,同时线路上的电压也逐渐升高,所以就有了二倍压、三倍压、多倍压整流电路。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6087.html         2025-12-09

  • 017N10mos,259a100v场效应管,toll封装,KCT017N10N-KIA MOS管

    KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流259A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,适用于电机控制和驱动、...

    0 次查看 toll封装

    www.kiaic.com/article/detail/6086.html         2025-12-08

  • 有刷电机,无刷电机,伺服电机,步进电机,减速电机详解-KIA MOS管

    无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成,是一种典型的机电一体化产品。由于无刷直流电动机是以自控式运行的,所以不会像变频调速下重载启动的同步电机那样在转子上另加启动绕组,也不会在负载突变时产生振荡和失步。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6084.html         2025-12-08

  • 电路板原理,PCB电路板结构原理详解-KIA MOS管

    PCB电路板的原理导电层设计?:通过蚀刻工艺在覆铜板上形成预设的电路图案,铜箔作为导电介质传递电信号。?绝缘基材?:通常采用FR-4玻璃纤维环氧树脂,提供机械支撑并隔离不同电路层。

    2 次查看 电路板原理

    www.kiaic.com/article/detail/6083.html         2025-12-08

  • 无刷电机,40v120a mos,3004场效应管,KNY3004B参数-KIA MOS管

    0 次查看

    KNY3004B场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流120A,采用先进沟槽技术制造,?极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ,最大限度地减少导电损耗,超低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;CdV/dt效应下降极佳、100% ΔVds测试 、100% UIS测试,能够在额定工作条件下稳...

    www.kiaic.com/article/detail/6082.html         2025-12-05

  • 大功率LED灯驱动电路图原理详解-KIA MOS管

    电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET 开关和一个电源控制器,与普通的PWM 控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V 稳压器、欠电压即过电压电路、限流选择电路、过热保护、电流...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/6081.html         2025-12-05

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号